收藏本站
DMN3030LSS
18
16
15
V GS = 10V
14
12
9
6
V GS = 4.5V
12
10
8
6
V DS = 5V
3
V GS = 3.0V
4
2
0
0
V GS = 2.5V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
5
0
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3.5
0.03
0.06
0.02
V GS = 4.5V
0.05
0.04
V GS = 4.5V
T A = 150°C
V GS = 10V
0.03
T A = 125°C
T A = 85°C
0.01
0.02
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.1
1 10
100
0.01
0
3 6 9 12
15
0.03
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 10V
1.6
1.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.025
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
1.4
1.3
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.1
1.0
0.015
T A = 25°C
T A = -55°C
0.9
0.8
0.01
0
3 6 9 12
15
0.7
-50
0 50 100 150
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN3030LSS
Document number: DS31261 Rev. 12 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN3031LSS-13 MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
DMN3033LDM-7 MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
DMN3033LSD-13 MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
DMN3033LSN-7 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
DMN3050S-7 MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
DMN3051L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMN3052L-7 MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
DMN3052LSS-13 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
DMN3031LSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3031LSS-13 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3033LDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3033LDM-7 功能描述:MOSFET NMOS-SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3033LSD 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W DIOD 30V 6.9A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8
DMN3033LSD-13 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3033LSN 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3033LSN-7 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube